首页> 外文OA文献 >Kinetics and compositional dependence on the microwave power and DiH4/N flow ratio of silicon nitride deposited by electron cyclotron resonance plasmas
【2h】

Kinetics and compositional dependence on the microwave power and DiH4/N flow ratio of silicon nitride deposited by electron cyclotron resonance plasmas

机译:电子回旋共振等离子体沉积氮化硅微波功率和DiH4 / N流动比的动力学和组成依赖性

代理获取
本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务,本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文,但由于OA文献来源多样且变更频繁,仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况,如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

摘要

The archival version of this work was published in Journal of The Electrochemical Society. Hernández, M. J., Garrido, J., Martínez, J. and J. Piqueras. Kinetics and compositional dependence on the microwave power and DiH4/N flow ratio of silicon nitride deposited by electron cyclotron resonance plasmas. Journal of The Electrochemical Society 141.11 (1994): 3234-3237
机译:这项工作的档案版本发表在《电化学学会杂志》上。 Hernández,M. J.,Garrido,J.,Martínez,J.和J. Piqueras。动力学和成分对电子回旋共振等离子体沉积的氮化硅的微波功率和DiH4 / N流量比的影响。电化学学会杂志141.11(1994):3234-3237

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
代理获取

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号